مقحل - منتديات الأستاذ التعليمية التربوية المغربية : فريق واحد لتعليم رائد

2009-04-05, 22:56

رقم المشاركة : 1

admin

الإدارة الأولـــى

إحصائية العضو

admin متواجد حالياً

مقحل

أشكال مختلفة للمقاحل
المقحل (بالإنجليزية: Transistor وهي اختصار لكلمتي Transfer Resistor وتعني مقاومة النقل)وهي نبيطة تعتبر أحد أهم مكونات الأدوات الإلكترونية الحديثة مثل الحاسوب، اخترعه العلماء الأمريكيون (والتر براتن) و(جون باردين) و(وليام شكولي ), هو بلورة من مادة شبه موصل مطعمة كالجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بللورة رقيقة جدابحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب وتسمى القاعدة بينما المنطقتان الخارجيتان من النوعية المخالفة وله قدرة كبيرة على تكبير الاشارات الالكترونية ينقسم إلى نوعين :
و للمقحل ثنائي القطب وصلتا م س وثلاثة أطراف. ويربط طرفان من هذه الأطراف، في العادة، الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية. لكن رفع الجهد المطبقة على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخرجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا. ونتيجة لذلك يسري تيار قوي عبر المقحل، وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة.
يمكن استخدام المقحل كمفتاح أو كمكبر للجهد أو التيار أو كلاها

أنواع ترانزستور

أنواع مختلفة من المقاحل (أبعادها بالسنتيمتر)
الترانزستور نوعان :
1. bipolar junction transistors: مقحل ثنائي القطب
2. field effect transistors :مقحل حقلي-
أحدث اختراعها ثورة كبيرة في صناعة الحاسوب إذ أدت إلى تقليل حجمه بدرجة كبيرة جدا وزيادة سرعته مقارنة بالجيل الأول من الحواسيب الذى كان يستخدم الصمامات أو الأنابيب المفرغة كعناصر للبناء و المكثفات و المقاومات. حيث وصل وزن الجيل الأول من الحواسيب إلى ما يزيد عن 30 طنا في حين أن الجيل الثاني منه والذي استخدام المقاحل فيه كعناصر بناء وصل حجمه إلى أقل من نصف كمبيوتر الجيل الأول بالإضافة إلى انخفاض درجة الحرارة الصادرة عنه مقارنة بنظيره من الجيل الأول.
يصنع الترانزستور من أشباه الموصلات مثل الجاليوم والجرمانيوم والكوارتز. ويتكون الترانزستور من قاعدة (Base) ويرمز لها بالرمز B و باعث (Emitter) ويرمز له بالرمز E والمجمع (Collector) ويرمز له بالرمز C ، و الترانزستورات العادية يوجد منها نوعان هما: (م س م):اذا كانت القاعده سالب والمنطقتان الخارجيتان موجب. (س م س):اذا كانت القاعده موجب والمنطقتان الخارجيتان سالب. والفرق بينهما الاول يكون خرجة عن الالكترونيات والاخر خرجة عن طريق الاماكن الفرغة
طريقة فحص الترانزستورات: للترانزستور ثلاثة أطراف كما هو معلوم يرمز لها ب C،B،E كما في هو مبين في الأعلى، و الترانزستور (س م س) أو ال (م س م) هو عبارة عن ثنائيين معا وعند الفحص يجب إجراء ستة فحوص للتأكد من سلامة الترانزستور أولها وثانيها: نضع مؤشر ساعة الفحص على الأوم ميتر ثم نضع سلك الساعة الموجب على الطرف الموجب لأحد الثنائيين (Base)والسلك السالب للساعة مع أحد طرفي الثنائيين (C) ويجب أن يعطينا مقاومة صغيرة، وهذا يسمى الفحص الأمامي، والفحص الخلفي يكون بنفس الطريقة على نفس طرفي الترانزستور ولكن بقلب أسلاك الساعة الموجب على السالب للترانزستور والسالب على الموجب فيعطينا مقاومة كبيرة.
ثالثها ورابعها: فحص الطرف (B) مع الطرف الآخر (E) بنفس الآلية السابقة فحصا أماميا وآخر خلفيا وبنفس المحترزات السابقة.
خامسها وسادسها: فحص طرفي الترانزستور من طرفيه (C) و (E) فحصا أماميا ثم قلب أسلاك الساعة على نفس الطرفين ليصبح فحصا خلفيا وليعطينا مقاومة كبيرة جدا في كلا الفحصين.

الخصائص الفزيائية

المقحل عبارة عن نوعين مقحل م س م أو مقحل س م س و الرمز م موجب أو س سالب هو يدل على نوع التطعيم للمادة شبه الموصلة. لنفرض أن المقحل ثنائي القطب الذي سوف نحلل عملية عمله هو س م س. نتيجة أن الباعث به شحنات زائده سالبة (الكترونات ) و القاعدة تحوى القليل منها ينشا تيار يسمي تيار انتشار و هذا التيار يكون اتجاه من القاعدة للباعث لانه عكس حركة الالكترونات التى هي من السالب للموجب. و كذا ينشا تيار من نفس النوع و لكن بسبب وجود اغلبيية موجبة في القاعدة عن التي في الباعث و من ثم ينشأ تيار من القاعدة للباعث (اتجاه الشحنات الموجبة هو اتجاه التيار). إذن التيار الكلى هو مجموع التياريين سالفي الذكر. حسنا الآن نعود إلى التيار الناشئ من الأغلبية السالبة في المشع إلى اين تذهب تلك الاكترونات الاجابة انها تواصل طريقهانحو القاعدة و المجمع. و نظرا لوجود بعض الفجوات الموجبة انها سوف يحدث لقليل من الالكترونات الحرة اتحاد مع الفجوات electron hole recombination و قلنا لقليل من الالكترونات و ليس كلها لأن مساحة القاعدة تكون صغيرة جدا (القاعدة عبارة عن شريحة رقيقة جدا)والتطعيم الذى تم عمله للقاعدة ليس كثيفا not heavily dopent, و الذي لا يتحد يصل إلى المجمع ثم إلى الدائرة الخارجية. و هنا يجب أن نذكر أن التطعيم للباعث يجب أن يكون كثيفا أما للقاعدة يكون التطعيم أقل من الباعث. و المجمع ليس بالضروة أن يكون مطعما.
هنا نستنتج أن زيادة تطعيم القاعدة تؤدي إلى زياة الفجوات و من ثم الفقد في الإلكترونات التى يمكن العبور إلى المجمع و من ثم الدائرة الخارجية.
الآن بعد أن تعرفنا عن نبذة مبسطة عن تكوين كل طبقة من المقحل ثنائي القطب نود التحدث عن كيفية استخدامه في الدوائر الرقمية و كيف أنه كان طفرة كبيرة.

||||||||||||||||||||||||||||| || || || || |||||||||||||| E || B || c |||||||||||||||||||| ||||||||||||||||||||||||||||| ||

بالنظر للشكل المرسوم بالحروف أعلاه: سوف نستنتج قانونا عاما يمكن استخدامه في أية مرحلة كانت من مراحل عمل المقحل و هو: IE = IB + IC تيار الباعث = تيار القاعدة + تيار المجمع
ماذا عن مراحل العمل : ذكرنا أن المقحل عبارة عن م س م أو س م س أي يمكن اعتباره 2(اثنان) موحد متصلين على التوالي و اتجاهما حسبما يكن الموجب خلف السالب أم العكس.
المهم بحسب الجهد على الاطراف سوف تتغير منطقة عمل كل موحد على حدة و نحصل على ثلاث مناطق عمل وهي:

تشبع
نشاط
فصل

: منتديات الأستاذ التعليمية التربوية المغربية : فريق واحد لتعليم رائد https://www.profvb.com/vb/showthread.php?p=934

التوقيع

نتائج امتحانات الكفاءة المهنية دورة أكتوبر 2010

2009-04-06, 06:03

رقم المشاركة : 2

العصفورة

أستـــــاذ(ة) جديد

إحصائية العضو

العصفورة غير متواجد حالياً

رد: مقحل

الله يعطيك العافية على الموضوع القيم والمفيد جدا
اتسمون الترانزستور عندكم (مقحل)....؟
وللفائدة ايضا
ان الدارات التكاملية هي عبارة عن مجموعة من الترانزستورات ( مقاحل )وبعض القطع الالكترونية الاخرى غير المكثفات
وشكرا لك